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聞泰新聞

新品快訊 | Nexperia第二代650V氮化鎵場效應管使80PLUS鈦金級電源可在2kW或更高功率下運行

2021-05-27

近日,2021年4月27日:基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世半導體)今天宣布其第二代 650 V 功率 GaN FET 器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優勢。


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全新的功率 GaN FET 具有低至 35mΩ(典型值)的 RDS(on) 性能,適用于 2 kW 至 10 kW 的單相 AC/DC 和 DC/DC 工業開關模式電源(SMPS),特別是必須滿足 80 PLUS? 鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。


全新 650V H2 功率 GaN FET 采用 TO-247 封裝,對于給定 RDS(on)值,芯片尺寸縮小 36%,具有更好的穩定性和效率。級聯配置無需復雜的驅動電路,加快了產品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能,為設計人員提供極大的靈活性。


Nexperia(安世半導體)GaN 戰略市場總監 Dilder Chowdhury 解釋說:“鈦金級是 80 PLUS? 規格中最嚴苛的,滿載條件下要求達到 >91% 的效率(半載條件下 >96%)。對于 2 kW 及更高功率的服務器電源應用,使用傳統硅器件來實現這種性能水平,電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia 新的功率 GaN FET 非常適合簡潔的無橋圖騰柱 PFC 電路,使用更少的器件,并能減少尺寸和系統成本。”


Nexperia(安世半導體)GAN041-650WSB GaN FET 現已大量供貨。


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